casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMS5P02R2SG
codice articolo del costruttore | NTMS5P02R2SG |
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Numero di parte futuro | FT-NTMS5P02R2SG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS5P02R2SG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.95A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 790mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS5P02R2SG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMS5P02R2SG-FT |
NTB60N06G
ON Semiconductor
NTB60N06L
ON Semiconductor
NTB60N06LG
ON Semiconductor
NTB60N06LT4
ON Semiconductor
NTB60N06LT4G
ON Semiconductor
NTB6410ANG
ON Semiconductor
NTB6411ANG
ON Semiconductor
NTB6411ANT4G
ON Semiconductor
NTB6412ANG
ON Semiconductor
NTB6412ANT4G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel