casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MC1413DR2G
codice articolo del costruttore | MC1413DR2G |
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Numero di parte futuro | FT-MC1413DR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MC1413DR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413DR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MC1413DR2G-FT |
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor
IMT3AT108
Rohm Semiconductor
XC3SD3400A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XCV150-5FG256C
Xilinx Inc.
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB5R2F40I2L
Intel
10AX090H3F34E2SG
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EP3C120F780I7
Intel
EP2A40F1020C7
Intel