casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT60020L
codice articolo del costruttore | MBRT60020L |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT60020L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT60020L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT60020L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT60020L-FT |
MURT10010
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MURT10010R
GeneSiC Semiconductor
MURT10020
GeneSiC Semiconductor
MURT10020R
GeneSiC Semiconductor
MURT10040
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MURT10040R
GeneSiC Semiconductor
MURT10060
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MURT10060R
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MURT20005
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MURT20005R
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XC4052XL-1HQ304C
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XC4005XL-3PQ208C
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XC6SLX75-N3FGG484C
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M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
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EP3SE80F1152I3
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LFE2M50E-6F484I
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LFE2-50E-6FN484C
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LCMXO640E-3MN100C
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