casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT10020
codice articolo del costruttore | MURT10020 |
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Numero di parte futuro | FT-MURT10020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT10020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT10020-FT |
MBRT30030
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30040
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT400100R
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel