casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GB10SLT12-247D
codice articolo del costruttore | GB10SLT12-247D |
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Numero di parte futuro | FT-GB10SLT12-247D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GB10SLT12-247D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB10SLT12-247D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GB10SLT12-247D-FT |
GSXD050A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A015S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF120A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel