casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS25150CTHMNG
codice articolo del costruttore | MBRS25150CTHMNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS25150CTHMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRS25150CTHMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS25150CTHMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS25150CTHMNG-FT |
MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel