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codice articolo del costruttore | MBRS20H100CT MNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS20H100CT MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS20H100CT MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS20H100CT MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS20H100CT MNG-FT |
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel