casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS2035CT MNG
codice articolo del costruttore | MBRS2035CT MNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS2035CT MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS2035CT MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS2035CT MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS2035CT MNG-FT |
MBR30L45CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L60CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR1620CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR1620CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR1640CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR1660CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1004 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1603 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel