casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS1060CT MNG
codice articolo del costruttore | MBRS1060CT MNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS1060CT MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS1060CT MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS1060CT MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS1060CT MNG-FT |
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel