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codice articolo del costruttore | MBR25100CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR25100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR25100CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR25100CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR25100CT C0G-FT |
SR2090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1001 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1002 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1002HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1004HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel