casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS1050CTHMNG
codice articolo del costruttore | MBRS1050CTHMNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS1050CTHMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRS1050CTHMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS1050CTHMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS1050CTHMNG-FT |
MBR2050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel