casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS1050CTHMNG
codice articolo del costruttore | MBRS1050CTHMNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS1050CTHMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRS1050CTHMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS1050CTHMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS1050CTHMNG-FT |
MBR2050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel