casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRM120LT3G
codice articolo del costruttore | MBRM120LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRM120LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRM120LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRM120LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRM120LT3G-FT |
NRVBM120LT1G
ON Semiconductor
NRVBM120ET1G
ON Semiconductor
MBRM140T3G
ON Semiconductor
MBRM120LT1G
ON Semiconductor
MBRM140T1G
ON Semiconductor
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT1G
ON Semiconductor
STPS120M
STMicroelectronics
NRVBM120ET3G
ON Semiconductor
NRVHPM120T3G
ON Semiconductor
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel