casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRM120ET1G
codice articolo del costruttore | MBRM120ET1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRM120ET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRM120ET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRM120ET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRM120ET1G-FT |
MUR880E
ON Semiconductor
NRVB1035G
ON Semiconductor
NRVTSM245ET1G
ON Semiconductor
NRVBM120LT1G
ON Semiconductor
NRVBM120ET1G
ON Semiconductor
MBRM140T3G
ON Semiconductor
MBRM120LT1G
ON Semiconductor
MBRM140T1G
ON Semiconductor
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT1G
ON Semiconductor
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation