casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRH20030R
codice articolo del costruttore | MBRH20030R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRH20030R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH20030R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH20030R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRH20030R-FT |
D2700U45X122XOSA1
Infineon Technologies
D1600U45X122XPSA1
Infineon Technologies
BAW78DE6327HTSA1
Infineon Technologies
HFA15PB60PBF
Infineon Technologies
GP2D030A060B
Global Power Technologies Group
GDP15S120B
Global Power Technologies Group
GDP24P060B
Global Power Technologies Group
GDP30P120B
Global Power Technologies Group
GDP30S120B
Global Power Technologies Group
GDP36Z060B
Global Power Technologies Group
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel