casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF12080
codice articolo del costruttore | MBRF12080 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF12080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF12080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF12080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF12080-FT |
MBRTA60020R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60020RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60030
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60030L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60030R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60035
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60035L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60035R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60035RL
GeneSiC Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel