casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRF2035 C0G
codice articolo del costruttore | MBRF2035 C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF2035 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF2035 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF2035 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF2035 C0G-FT |
SRAF1090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel