casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRAF1090HC0G
codice articolo del costruttore | SRAF1090HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRAF1090HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF1090HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF1090HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRAF1090HC0G-FT |
SF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF802GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF803GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF804GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF805G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF805GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel