casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRF10H100/45
codice articolo del costruttore | MBRF10H100/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF10H100/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF10H100/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF10H100/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF10H100/45-FT |
BAS521,115
Nexperia USA Inc.
BAS521,135
Nexperia USA Inc.
RB520S30YL
Nexperia USA Inc.
RB521S30,115
Nexperia USA Inc.
1PS79SB31,135
Nexperia USA Inc.
1PS79SB31,315
Nexperia USA Inc.
BAS521BF
Nexperia USA Inc.
BAS521BX
Nexperia USA Inc.
BAS716F
Nexperia USA Inc.
PMEG2010AEBF
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation