casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRD10200CT-13
codice articolo del costruttore | MBRD10200CT-13 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD10200CT-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRD10200CT-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD10200CT-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD10200CT-13-FT |
BAV170T-7
Diodes Incorporated
BAV199T-7
Diodes Incorporated
BAV70T-7
Diodes Incorporated
BAV99T-7
Diodes Incorporated
BAW156T-7
Diodes Incorporated
BAW56T-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HTA-7
Diodes Incorporated
SDMP0340LAT-7
Diodes Incorporated
SDMP0340LCT-7
Diodes Incorporated
SDMP0340LST-7
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel