casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV170T-7
codice articolo del costruttore | BAV170T-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV170T-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV170T-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 125mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170T-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV170T-7-FT |
SDM03MT40A-7-F
Diodes Incorporated
MMBD3004BRM-7-F
Diodes Incorporated
SD103ASDM-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HTM-7-F
Diodes Incorporated
SDM10M45SD-7-F
Diodes Incorporated
BAS21TM-7
Diodes Incorporated
MMBD3004BRM-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HTM-7
Diodes Incorporated
SD103ASDM-7
Diodes Incorporated
SDM03MT40-7
Diodes Incorporated
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel