casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESB8JTHE3/81
codice articolo del costruttore | FESB8JTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FESB8JTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8JTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8JTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESB8JTHE3/81-FT |
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation