casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESB8GT-E3/81
codice articolo del costruttore | FESB8GT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FESB8GT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8GT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8GT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESB8GT-E3/81-FT |
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel