casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB1535CTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB1535CTHE3_A/P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBRB1535CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB1535CTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1535CTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB1535CTHE3_A/P-FT |
JAN1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JAN1N6660DT1
Microsemi Corporation
JAN1N6674R
Microsemi Corporation
JAN1N7037CCU1
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCT1
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6674R
Microsemi Corporation
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel