casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / JAN1N6660CCT1
codice articolo del costruttore | JAN1N6660CCT1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6660CCT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/608 |
JAN1N6660CCT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6660CCT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6660CCT1-FT |
HTZ270H40K
IXYS
HTZ270H56K
IXYS
HTZ270H64K
IXYS
HTZ280H20K
IXYS
HTZ280H24K
IXYS
HTZ280H28K
IXYS
HTZ280H32K
IXYS
IRKC166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel