casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB10H90CT-E3/45
codice articolo del costruttore | MBRB10H90CT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB10H90CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MBRB10H90CT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H90CT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB10H90CT-E3/45-FT |
JAN1N6660
Microsemi Corporation
JAN1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JAN1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JAN1N6660DT1
Microsemi Corporation
JAN1N6674R
Microsemi Corporation
JAN1N7037CCU1
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCT1
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6660CCT1
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel