casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30L45CT C0G
codice articolo del costruttore | MBR30L45CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30L45CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30L45CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30L45CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30L45CT C0G-FT |
HER1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel