casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR1050CT C0G
codice articolo del costruttore | MBR1050CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR1050CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1050CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1050CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1050CT C0G-FT |
UGF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel