casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30L120CTHC0G
codice articolo del costruttore | MBR30L120CTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30L120CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR30L120CTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30L120CTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30L120CTHC0G-FT |
HER1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel