casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / HER1001G C0G
codice articolo del costruttore | HER1001G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER1001G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER1001G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1001G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER1001G C0G-FT |
MBRF30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel