casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / HER1001G C0G
codice articolo del costruttore | HER1001G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER1001G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER1001G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1001G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER1001G C0G-FT |
MBRF30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel