casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR10U150CT
codice articolo del costruttore | SBR10U150CT |
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Numero di parte futuro | FT-SBR10U150CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR10U150CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR10U150CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR10U150CT-FT |
MA3D750A
Panasonic Electronic Components
MA3D756
Panasonic Electronic Components
MA3D761
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MA3D799
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MBRF20H100CTG
ON Semiconductor
MBRF20L80CTG
ON Semiconductor
MBRF2545CT
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MBRF30H150CTG
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MBRF30H60CTG
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MURF1620CT
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XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
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XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
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EP4SGX360FF35I3
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5SGSMD3H1F35C1N
Intel