casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR3050CTHC0G
codice articolo del costruttore | MBR3050CTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR3050CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR3050CTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3050CTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR3050CTHC0G-FT |
GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1605HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel