casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD91/12
codice articolo del costruttore | VS-VSKD91/12 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD91/12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD91/12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3) |
Pacchetto dispositivo fornitore | ADD-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD91/12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD91/12-FT |
SBLB1640CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JAN1N4148UBCC
Microsemi Corporation
JAN1N4148UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UBCC
Microsemi Corporation
VS-200CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-201CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel