casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2560CT C0G
codice articolo del costruttore | MBR2560CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2560CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2560CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2560CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2560CT C0G-FT |
GP1006 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1006HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1007 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1007HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel