casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR20100
codice articolo del costruttore | MBR20100 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20100-FT |
STTH8S06B-TR
STMicroelectronics
FERD15S50SB-TR
STMicroelectronics
FERD2045SB-TR
STMicroelectronics
FERD20S100SB-TR
STMicroelectronics
FERD30H100SB-TR
STMicroelectronics
STPS1045B
STMicroelectronics
STPS1045BY-TR
STMicroelectronics
STPS4S200B-TR
STMicroelectronics
STPS8L30BY-TR
STMicroelectronics
BYW4200B-TR
STMicroelectronics
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation