casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYW4200B-TR
codice articolo del costruttore | BYW4200B-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYW4200B-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW4200B-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW4200B-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW4200B-TR-FT |
STTH810G
STMicroelectronics
STTH812G
STMicroelectronics
STTH8L06G
STMicroelectronics
STTH8R04G
STMicroelectronics
STTH8R06G
STMicroelectronics
STTH4R06DEE-TR
STMicroelectronics
FERD15S50DJF-TR
STMicroelectronics
FERD20U50DJF-TR
STMicroelectronics
FERD20U60DJF-TR
STMicroelectronics
FERD20U60DJFD-TR
STMicroelectronics
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel