casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR180S1-7
codice articolo del costruttore | MBR180S1-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR180S1-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR180S1-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR180S1-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR180S1-7-FT |
SD103AWS-7-F
Diodes Incorporated
SDM10K45-7-F
Diodes Incorporated
1N4148WS-13-F
Diodes Incorporated
1N4448HWS-13-F
Diodes Incorporated
B0520WS-7-F
Diodes Incorporated
B0540WS-7
Diodes Incorporated
B140WS-7
Diodes Incorporated
BAV116WS-7
Diodes Incorporated
BAV19WS-7-F
Diodes Incorporated
1N4148WSQ-7-F
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel