casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV19WS-7-F
codice articolo del costruttore | BAV19WS-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BAV19WS-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV19WS-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV19WS-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV19WS-7-F-FT |
SF2007PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3001PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3001PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3002PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3002PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3003PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3003PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3004PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3005PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel