casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10H100CTHE3/45
codice articolo del costruttore | MBR10H100CTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10H100CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10H100CTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H100CTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10H100CTHE3/45-FT |
BYT28F-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel