casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10H100CTHE3/45
codice articolo del costruttore | MBR10H100CTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10H100CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10H100CTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H100CTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10H100CTHE3/45-FT |
BYT28F-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel