casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGF2006G C0G
codice articolo del costruttore | UGF2006G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-UGF2006G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGF2006G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGF2006G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGF2006G C0G-FT |
MBRF1090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10H150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10H200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF15100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF15150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel