casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR1045MFST3G
codice articolo del costruttore | MBR1045MFST3G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR1045MFST3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1045MFST3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1045MFST3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1045MFST3G-FT |
SB10-04A3-AT1
ON Semiconductor
SB10-04A3-BT
ON Semiconductor
DSA17G
ON Semiconductor
DSA26G
ON Semiconductor
DSK10B
ON Semiconductor
DSK10B-AT1
ON Semiconductor
DSK10B-BT
ON Semiconductor
MBRB2515LG
ON Semiconductor
MBRB1045G
ON Semiconductor
MBRB4030G
ON Semiconductor
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel