casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR1045HE3/45
codice articolo del costruttore | MBR1045HE3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBR1045HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1045HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1045HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1045HE3/45-FT |
UG8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE5HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE5JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH10JT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH5JT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel