casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10100CDTR-G1
codice articolo del costruttore | MBR10100CDTR-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10100CDTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100CDTR-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100CDTR-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10100CDTR-G1-FT |
VS-VSKD56/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel