casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RC512TPNF-G-JNERE1
codice articolo del costruttore | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 3.4MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 130ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RC512TPNF-G-JNERE1-FT |
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
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