casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MB3035S-E3/4W
codice articolo del costruttore | MB3035S-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-MB3035S-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB3035S-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 980pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB3035S-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB3035S-E3/4W-FT |
MBRB1645-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel