casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MAU211100B
codice articolo del costruttore | MAU211100B |
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Numero di parte futuro | FT-MAU211100B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MAU211100B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-923 |
Pacchetto dispositivo fornitore | USSMini2-F1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAU211100B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MAU211100B-FT |
RFUS20NS4STL
Rohm Semiconductor
RBQ30NS45BFHTL
Rohm Semiconductor
RFN10NS6STL
Rohm Semiconductor
RFN20NS6STL
Rohm Semiconductor
RFUH10NS4STL
Rohm Semiconductor
RFUH10NS6STL
Rohm Semiconductor
RFUH20NS6STL
Rohm Semiconductor
RF1501NS3STL
Rohm Semiconductor
RFUS20NS6STL
Rohm Semiconductor
RFN10BM3STL
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel