casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RFUH10NS4STL
codice articolo del costruttore | RFUH10NS4STL |
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Numero di parte futuro | FT-RFUH10NS4STL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFUH10NS4STL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 430V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 430V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFUH10NS4STL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFUH10NS4STL-FT |
RB168LAM150TR
Rohm Semiconductor
RBR1LAM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR1LAM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR1LAM40ATR
Rohm Semiconductor
RBR1LAM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR2LAM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2LAM30ATR
Rohm Semiconductor
RBR2LAM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2LAM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR3LAM30ATR
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel