casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MA6X12400L
codice articolo del costruttore | MA6X12400L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MA6X12400L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA6X12400L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini6-G2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA6X12400L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA6X12400L-FT |
APT8DQ60KCTG
Microsemi Corporation
BYQ42E-200Q
WeEn Semiconductors
BYV32E-200PQ
WeEn Semiconductors
FST20150
Microsemi Corporation
FST20150E3
Microsemi Corporation
FST31180
Microsemi Corporation
FST31180E3
Microsemi Corporation
MBR10100CT-LJ
Diodes Incorporated
MBR1030CT
Diodes Incorporated
MBR1035CT
Diodes Incorporated
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel