casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST31180
codice articolo del costruttore | FST31180 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FST31180 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST31180 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 180V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 180V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST31180 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST31180-FT |
SDT30100CT
Diodes Incorporated
VT60M120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2045CTE3/TU
Microsemi Corporation
V40M150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10150CT-LJ
Diodes Incorporated
SDT20A100CT
Diodes Incorporated
DST20150C
Littelfuse Inc.
DST2060C
Littelfuse Inc.
DST2080C
Littelfuse Inc.
DST3060LC
Littelfuse Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel