casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / MA4E2200E1-1068T
codice articolo del costruttore | MA4E2200E1-1068T |
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Numero di parte futuro | FT-MA4E2200E1-1068T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4E2200E1-1068T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.5V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E2200E1-1068T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA4E2200E1-1068T-FT |
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation