casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAP63-02,115
codice articolo del costruttore | BAP63-02,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAP63-02,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAP63-02,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.32pF @ 20V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 715mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP63-02,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAP63-02,115-FT |
RN731VTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VTE-17
Rohm Semiconductor
1SS356TW11
Rohm Semiconductor
RN731VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN142VTE-17
Rohm Semiconductor
RN741VTE-17
Rohm Semiconductor
RN142STE61
Rohm Semiconductor
1SS390TE61
Rohm Semiconductor
RN141STE61
Rohm Semiconductor
XC4003E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-3
Intel
XC7A200T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020C5
Intel